1 documents found
Information × Registration Number 0413U003131, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-04-2013 popup.evolution o Title Formation of the Si I line intensity profiles in one-dimensional models and a three-dimensional model of the Sun. Author Sukhorukov Andrii Valeriiovych, popup.head Shchukina Nataliya Gennadievna popup.opponent Стоділка Мирослав Іванович popup.opponent Мішеніна Тамара Василівна Description Досліджено формування ліній Si I у сонячному спектрі. Профілі інтенсивності ліній обчислені у трьох напівемпіричних одновимірних та одній гідродинамічній тривимірній моделях атмосфери Сонця в наближенні локальної термодинамічної рівноваги (ЛТР) та її відсутності (НЛТР). Для обчислень при НЛТР створено найбільш сучасну модель атома кремнію. Для визначення вмісту складено список із 65 ліній Si I. Визначено НЛТР-ефекти, що діють при утворенні спектру Si I: невелика зміна поглинання в лініях, а також сильний дефіцит функцій джерела ліній. Головним є другий ефект, він призводить до заглиблення профілів ліній і збільшення їх еквівалентних ширин. Визначено вміст елемента при ЛТР та НЛТР в усіх моделях. Найбільш достовірним є значення A = 7.549±0.016 dex, яке узгоджується з попередніми рекомендаціями для фотосфери Сонця та метеоритів. Воно отримане шляхом співставлення спостережних та обчислених еквівалентних ширин 65 ліній Si I, знайдених при НЛТР у тривимірній гідродинамічній моделі атмосфери Сонця для сонячних сил осциляторів і за допомогою теорії Ансті, Барклема та О’Мари при обчисленні сталої згасання ліній gamma6. Підтверджено, що проблему аномальної металевості можна розв’язати, лише враховуючи ефекти НЛТР та неоднорідності атмосфери. Визначено залежності отриманих значень вмісту від параметрів моделювання: моделі атмосфери, теорії ван-дер-ваальсового уширення ліній, шкали сил осциляторів, кількості ліній у вибірці, значень перерізів непружних зіткнень з електронами, атомами водню та перерізів фотоіонізації, прийнятого вмісту елемента. Проаналізовано шкалу сонячних сил осциляторів Гуртовенка та Костика для ліній Si I, визначено її систематичні похибки, показано, що сумарна похибка шкали близька до нуля. Досліджено формування лінії Si I 1082.7 нм. Оцінено оптимальні значення множника формули Дроіна SH = 0.1 та сили осцилятора лінії lg gf = 0.24, які рекомендовано для подальшого моделювання лінії. Показано, що для відтворення спостережень зіткнення з атомами водню мають відбуватись на порядок частіше у одновимірних моделях атмосфери, ніж у тривимірній. Registration Date 2013-04-26 popup.nrat_date 2020-04-04 Close
Candidate dissertation
1
Sukhorukov Andrii Valeriiovych. Formation of the Si I line intensity profiles in one-dimensional models and a three-dimensional model of the Sun. : к.ф.-м.н. : spec.. 01.03.03 - Геліофізика і фізика сонячної системи : presented. 2013-04-26; popup.evolution: .; Main Astronomical Observatory. – , 0413U003131.
1 documents found

Updated: 2026-03-24