Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0413U003131, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-04-2013 Статус Запланована Назва роботи Формування профілів інтенсивності спектральних ліній Si I в одновимірних та тривимірній моделях Сонця. Здобувач Сухоруков Андрій Валерійович, Керівник Щукіна Наталія Геннадіївна Опонент Стоділка Мирослав Іванович Опонент Мішеніна Тамара Василівна Опис Досліджено формування ліній Si I у сонячному спектрі. Профілі інтенсивності ліній обчислені у трьох напівемпіричних одновимірних та одній гідродинамічній тривимірній моделях атмосфери Сонця в наближенні локальної термодинамічної рівноваги (ЛТР) та її відсутності (НЛТР). Для обчислень при НЛТР створено найбільш сучасну модель атома кремнію. Для визначення вмісту складено список із 65 ліній Si I. Визначено НЛТР-ефекти, що діють при утворенні спектру Si I: невелика зміна поглинання в лініях, а також сильний дефіцит функцій джерела ліній. Головним є другий ефект, він призводить до заглиблення профілів ліній і збільшення їх еквівалентних ширин. Визначено вміст елемента при ЛТР та НЛТР в усіх моделях. Найбільш достовірним є значення A = 7.549±0.016 dex, яке узгоджується з попередніми рекомендаціями для фотосфери Сонця та метеоритів. Воно отримане шляхом співставлення спостережних та обчислених еквівалентних ширин 65 ліній Si I, знайдених при НЛТР у тривимірній гідродинамічній моделі атмосфери Сонця для сонячних сил осциляторів і за допомогою теорії Ансті, Барклема та О’Мари при обчисленні сталої згасання ліній gamma6. Підтверджено, що проблему аномальної металевості можна розв’язати, лише враховуючи ефекти НЛТР та неоднорідності атмосфери. Визначено залежності отриманих значень вмісту від параметрів моделювання: моделі атмосфери, теорії ван-дер-ваальсового уширення ліній, шкали сил осциляторів, кількості ліній у вибірці, значень перерізів непружних зіткнень з електронами, атомами водню та перерізів фотоіонізації, прийнятого вмісту елемента. Проаналізовано шкалу сонячних сил осциляторів Гуртовенка та Костика для ліній Si I, визначено її систематичні похибки, показано, що сумарна похибка шкали близька до нуля. Досліджено формування лінії Si I 1082.7 нм. Оцінено оптимальні значення множника формули Дроіна SH = 0.1 та сили осцилятора лінії lg gf = 0.24, які рекомендовано для подальшого моделювання лінії. Показано, що для відтворення спостережень зіткнення з атомами водню мають відбуватись на порядок частіше у одновимірних моделях атмосфери, ніж у тривимірній. Дата реєстрації 2013-04-26 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Сухоруков Андрій Валерійович. Формування профілів інтенсивності спектральних ліній Si I в одновимірних та тривимірній моделях Сонця. : к.ф.-м.н. : спец.. 01.03.03 - Геліофізика і фізика сонячної системи : дата захисту 2013-04-26; Статус: Захищена; Головна астрономічна обсерваторія. – , 0413U003131.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-16