Search academic texts

Information × Registration Number 0414U002097, Candidate dissertation Status к.х.н. Date 16-05-2014 popup.evolution o Title Interaction of undoped and doped ZnSe crystals with bromine emerging etching compositions based on H2O2–HBr Author Stanetska Anna Serhiyvna, popup.head Tomashik Vasyl Nikolaevich popup.opponent Казіміров Володимир Петрович popup.opponent Колбасов Геннадій Якович Description Дисертація присвячена дослідженню хімічної взаємодії кристалів нелегованого та легованого ZnSe з бромвиділяючими розчинами H2O2–HBr–розчинник. За результатами експериментів з використанням математичного планування на симплексі побудовано діаграми “склад розчину – швидкість травлення” цих кристалів в розчинах систем H2O2–HBr–етиленгліколь, H2O2–HBr– Н2О, H2O2–HBr–оксалатна та H2O2–HBr–ацетатна кислоти з визначенням границь областей поліруючих, неполіруючих і селективних розчинів. Встановлено залежності швидкості розчинення від температури і швидкості перемішування розчину, визначено лімітуючі стадії процесу розчинення напівпровідників, виявлено вплив легування на швидкість травлення та границі областей поліруючих розчинів. Встановлено вплив розчинника та вмісту H2O2 на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість обробленої поверхні. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення цинк селеніду в травниках H2O2–HBr–розчинник. За даними вимірювань електронної, атомно-силової мікроскопії та низькотемпературної фотолюмінесценції можна судити про високу якість отриманої полірованої поверхні досліджуваних напівпровідників. Вперше встановлено залежності швидкостей ХМП від ступеня розведення базових поліруючих розчинів H2O2–HBr–органічний компонент в’язкими розчинниками, встановлено вплив їх природи та концентрації на полірувальні властивості сформованих травників та стан полірованої поверхні кристалів. Оптимізовано склади поліруючих травильних композицій H2O2–HBr–розчинник і технологічні режими ХДП і ХМП для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок та фінішного полірування кристалів ZnSe, ZnSe(Al), ZnSe(Te). Registration Date 2014-05-16 popup.nrat_date 2020-04-04 Close