Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0414U002097, Кандидатська дисертація На здобуття к.х.н. Дата захисту 16-05-2014 Статус Запланована Назва роботи Взаємодія кристалів нелегованого та легованого ZnSe з бромвиділяючими травильними композиціями на основі H2O2–HBr Здобувач Станецька Анна Сергіївна, Керівник Томашик Василь Миколайович Опонент Казіміров Володимир Петрович Опонент Колбасов Геннадій Якович Опис Дисертація присвячена дослідженню хімічної взаємодії кристалів нелегованого та легованого ZnSe з бромвиділяючими розчинами H2O2–HBr–розчинник. За результатами експериментів з використанням математичного планування на симплексі побудовано діаграми “склад розчину – швидкість травлення” цих кристалів в розчинах систем H2O2–HBr–етиленгліколь, H2O2–HBr– Н2О, H2O2–HBr–оксалатна та H2O2–HBr–ацетатна кислоти з визначенням границь областей поліруючих, неполіруючих і селективних розчинів. Встановлено залежності швидкості розчинення від температури і швидкості перемішування розчину, визначено лімітуючі стадії процесу розчинення напівпровідників, виявлено вплив легування на швидкість травлення та границі областей поліруючих розчинів. Встановлено вплив розчинника та вмісту H2O2 на швидкість хімічного розчинення, полірувальні властивості розчинів та якість обробленої поверхні. Із аналізу температурних залежностей швидкостей розчинення виявлено існування компенсаційної залежності в кінетиці хімічного травлення цинк селеніду в травниках H2O2–HBr–розчинник. За даними вимірювань електронної, атомно-силової мікроскопії та низькотемпературної фотолюмінесценції можна судити про високу якість отриманої полірованої поверхні досліджуваних напівпровідників. Вперше встановлено залежності швидкостей ХМП від ступеня розведення базових поліруючих розчинів H2O2–HBr–органічний компонент в’язкими розчинниками, встановлено вплив їх природи та концентрації на полірувальні властивості сформованих травників та стан полірованої поверхні кристалів. Оптимізовано склади поліруючих травильних композицій H2O2–HBr–розчинник і технологічні режими ХДП і ХМП для видалення порушеного шару, контрольованого потоншення пластин до заданих розмірів, зняття тонких плівок та фінішного полірування кристалів ZnSe, ZnSe(Al), ZnSe(Te). Дата реєстрації 2014-05-16 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити