Search academic texts

Information × Registration Number 0414U003823, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 27-06-2014 popup.evolution o Title Formation and properties of nanostructures based on layered crystals of indium and gallium selenides Author Kudrynskyi Zakhar Ruslanovych, popup.head Dugaev Vitalii Kostyantynovych popup.opponent Лев Богдан Іванович popup.opponent Стахіра Йосип Михайлович Description Дисертація присвячена дослідженню особливостей формування та фізичних властивостей наноструктур, створених на основі шаруватих кристалів GaSe, InSe та In2Se3. Вперше досліджено прояв квантово-розмірних ефектів в механічно відлущених наношарах InSe. Вивчено морфологію та фазовий склад наноструктур, сформованих на ван-дер-ваальсовій поверхні (0001) GaSe у результаті відпалу в парах сірки. Вперше отримано фоточутливі гетеропереходи n-CdO-p-InSe(GaSe) і досліджено їх властивості. Досліджено процеси акумуляції і переносу носіїв заряду в гібридних структурах, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями KNO3. Досліджено вплив зовнішнього магнітного поля на процес електрохімічної інтеркаляції селенідів індію кобальтом. Виявлено принципову можливість інтеркаляції кристалів InSe і GaSe нітратом рубідію. Встановлено, що нанокомпозит GaSe<RbNO3> характеризується енергонакопичувальними властивостями. Registration Date 2014-06-27 popup.nrat_date 2020-04-04 Close