Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0414U003823, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 27-06-2014 Статус Запланована Назва роботи Формування та властивості наноструктур на основі шаруватих кристалів селенідів індію і галію Здобувач Кудринський Захар Русланович, Керівник Дугаєв Віталій Костянтинович Опонент Лев Богдан Іванович Опонент Стахіра Йосип Михайлович Опис Дисертація присвячена дослідженню особливостей формування та фізичних властивостей наноструктур, створених на основі шаруватих кристалів GaSe, InSe та In2Se3. Вперше досліджено прояв квантово-розмірних ефектів в механічно відлущених наношарах InSe. Вивчено морфологію та фазовий склад наноструктур, сформованих на ван-дер-ваальсовій поверхні (0001) GaSe у результаті відпалу в парах сірки. Вперше отримано фоточутливі гетеропереходи n-CdO-p-InSe(GaSe) і досліджено їх властивості. Досліджено процеси акумуляції і переносу носіїв заряду в гібридних структурах, сформованих на основі шаруватого напівпровідника з нанорозмірними сегнетоелектричними включеннями KNO3. Досліджено вплив зовнішнього магнітного поля на процес електрохімічної інтеркаляції селенідів індію кобальтом. Виявлено принципову можливість інтеркаляції кристалів InSe і GaSe нітратом рубідію. Встановлено, що нанокомпозит GaSe<RbNO3> характеризується енергонакопичувальними властивостями. Дата реєстрації 2014-06-27 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити