Search academic texts

Information × Registration Number 0414U004948, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 14-11-2014 popup.evolution o Title Development of methods and equipment for control of structural and geometrical perfection of gallium arsenide wafers Author Kogdas' Maksym Hryhorovych, popup.head Oksanich Anatoliy Petrovich popup.opponent Неймаш Володимир Борисович popup.opponent Коломзаров Юрій Вікторович Description Дисертацію присвячено питанням створення методів та обладнання для контролю структурно-геометричної досконалості пластин GaAs. Розроблено метод і установку "Микрон-1" для контролю складних форм деформацій пластин GaAs із застосуванням методу інтерференції та відеосистеми, що дозволило зменшити похибку та автоматизувати процес вимірювань. Вперше показано, що пластина GaAs в площині (100) є більш жорсткою по напрямку <011> <001> і в порівнянні з напрямком <010>, через діючі в пластині головні напруження, а також внаслідок надзвичайно малого коефіцієнта Пуассона. Визначено, що розподіл внутрішніх напружень у напівізолюючому GaAs, який застосовується для виготовлення оптичних лінз, має острівцевий характер, розподіляється в кристалографічних напрямках [001] і [010]. Встановлено, що для пластин GaAs, орієнтованих у площині (100), жорсткість пластини визначається модулем Юнга і коефіцієнтом Пуассона. Ці пластини в напрямку [001] мають жорсткість на 26 % нижче, ніж у напрямку [011]. Таким чином, анізотропія пружних властивостей впливає на величину й анізотропію вигину. Встановлено, що при обробці пластин GaAs великого діаметру з орієнтацією (100) виникає складний вигин, епюри якого мають екстремуми в одному з кристалографічних напрямків <001>. Сумарний річний економічний ефект за даними акта впровадження складає 57 тис. грн. Registration Date 2014-11-14 popup.nrat_date 2020-04-03 Close