Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0414U004948, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 14-11-2014 Статус Запланована Назва роботи Розробка методів та обладнання для контролю структурно-геометричної досконалості пластин арсеніду галію Здобувач Когдась Максим Григорович, Керівник Оксанич Анатолій Петрович Опонент Неймаш Володимир Борисович Опонент Коломзаров Юрій Вікторович Опис Дисертацію присвячено питанням створення методів та обладнання для контролю структурно-геометричної досконалості пластин GaAs. Розроблено метод і установку "Микрон-1" для контролю складних форм деформацій пластин GaAs із застосуванням методу інтерференції та відеосистеми, що дозволило зменшити похибку та автоматизувати процес вимірювань. Вперше показано, що пластина GaAs в площині (100) є більш жорсткою по напрямку <011> <001> і в порівнянні з напрямком <010>, через діючі в пластині головні напруження, а також внаслідок надзвичайно малого коефіцієнта Пуассона. Визначено, що розподіл внутрішніх напружень у напівізолюючому GaAs, який застосовується для виготовлення оптичних лінз, має острівцевий характер, розподіляється в кристалографічних напрямках [001] і [010]. Встановлено, що для пластин GaAs, орієнтованих у площині (100), жорсткість пластини визначається модулем Юнга і коефіцієнтом Пуассона. Ці пластини в напрямку [001] мають жорсткість на 26 % нижче, ніж у напрямку [011]. Таким чином, анізотропія пружних властивостей впливає на величину й анізотропію вигину. Встановлено, що при обробці пластин GaAs великого діаметру з орієнтацією (100) виникає складний вигин, епюри якого мають екстремуми в одному з кристалографічних напрямків <001>. Сумарний річний економічний ефект за даними акта впровадження складає 57 тис. грн. Дата реєстрації 2014-11-14 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити