Search academic texts

Information × Registration Number 0415U004303, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 03-07-2015 popup.evolution o Title The electronic structure of silicon and germanium dichalcogenides and superionics M2Si(Ge)S3 (M = Li, Na, Ag) Author Vakulchak Vasyl Vasyliovych, popup.head Bletskan Dmytro Ivanovych popup.opponent Маслюк Володимир Трохимович popup.opponent Товстюк Корнелія Корніївна Description Дисертаційна робота присвячена дослідженню із перших принципів електронної структури, хімічного зв'язку і оптичних властивостей різних поліморфних форм дихалькогенідів кремнію і германію, сесквітелуриду кремнію та суперіоніків типу MI2AIVS3 (M = Li, Na, Ag; АIV = Si, Ge). Проведено порівняльний аналіз впливу ізокатіонного й ізоаніоннонго заміщення в кристалах AIVBVI2 на електронну структуру даних сполук. Встановлено, що аніонне S-Se та катіонне Si-Ge заміщення в бінарних сполуках AIVBVI2 приводить до зменшення загальної ширини валентної зони і ширини забороненої щілини. Особливістю електронного спектра у валентній зоні бінарних AIVBVI2 і потрійних MI2AIVS3 сполук є наявність трьох відокремлених підзон сформованих гібридизацією s- і p-станів аніона й катіона. Проведено комплексне дослідження електропровідності, спектрів крайового поглинання і фотопровідності шаруватих кристалів Si2Te3 в широкому інтервалі температур. Виявлено урбахівську форму краю поглинання в кристалічному Si2Te3, обумовлену сильною електрон-фононною взаємодією. Із аналізу кристалічної структури та просторового розподілу густини електронного заряду слідує, що в суперіоніках Li2SiS3 і Na2GeS3 в ковалентно зв'язаному каркасі із тетраедрів [SiS4] та [GeS4] наявні "тунелі" з мінімальною електронною густиною, які служать каналами для переміщення іонів лужних металів, чим і зумовлена їх висока іонна провідність. Registration Date 2015-07-03 popup.nrat_date 2020-04-03 Close