Registration Number
0415U004303, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
03-07-2015
popup.evolution
.
Title
The electronic structure of silicon and germanium dichalcogenides and superionics M2Si(Ge)S3 (M = Li, Na, Ag)
Author
Vakulchak Vasyl Vasyliovych,
popup.head Bletskan Dmytro Ivanovych
popup.opponent Маслюк Володимир Трохимович
popup.opponent Товстюк Корнелія Корніївна
popup.rada
State Higher Educational Institution "Uzhgorod National University"
Description
Дисертаційна робота присвячена дослідженню із перших принципів електронної структури, хімічного зв'язку і оптичних властивостей різних поліморфних форм дихалькогенідів кремнію і германію, сесквітелуриду кремнію та суперіоніків типу MI2AIVS3 (M = Li, Na, Ag; АIV = Si, Ge). Проведено порівняльний аналіз впливу ізокатіонного й ізоаніоннонго заміщення в кристалах AIVBVI2 на електронну структуру даних сполук. Встановлено, що аніонне S-Se та катіонне Si-Ge заміщення в бінарних сполуках AIVBVI2 приводить до зменшення загальної ширини валентної зони і ширини забороненої щілини. Особливістю електронного спектра у валентній зоні бінарних AIVBVI2 і потрійних MI2AIVS3 сполук є наявність трьох відокремлених підзон сформованих гібридизацією s- і p-станів аніона й катіона. Проведено комплексне дослідження електропровідності, спектрів крайового поглинання і фотопровідності шаруватих кристалів Si2Te3 в широкому інтервалі температур. Виявлено урбахівську форму краю поглинання в кристалічному Si2Te3, обумовлену сильною електрон-фононною взаємодією. Із аналізу кристалічної структури та просторового розподілу густини електронного заряду слідує, що в суперіоніках Li2SiS3 і Na2GeS3 в ковалентно зв'язаному каркасі із тетраедрів [SiS4] та [GeS4] наявні "тунелі" з мінімальною електронною густиною, які служать каналами для переміщення іонів лужних металів, чим і зумовлена їх висока іонна провідність.
Registration Date
2015-07-27
popup.nrat_date
2020-04-04 / 2026-06-29
