Search academic texts

Information × Registration Number 0415U004401, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 01-07-2015 popup.evolution o Title Radiation and strain-stimulated changes of the p-Si crystals surface layer properties Author Lys Roman Myroslavovych, popup.head Pavlyk Bogdan Vasylovych popup.opponent Ільчук Григорій Архипович popup.opponent Шпотюк Олег Йосипович Description Робота присвячена дослідженню процесів перебудови дефектів приповерхневого шару кристалів p-Si, стимульованих дією Х-опромінення та пружного механічного навантаження. Вперше виявлено ефект "радіаційної пам'яті" в одновісно деформованих кристалах. Визначено глибини залягання енергетичних рівнів структурних дефектів, перерізи захоплення носіїв заряду та їхні радіаційно-стимульовані зміни. На поверхні (111) експериментальних зразків p-Si для сонячної енергетики вперше виявлено формування агрегатів домішково-вакансійних комплексів та міжвузлових атомів у вигляді однаково орієнтованих чотирикутних пірамід розміром від 1 до 10 мкм. Registration Date 2015-07-01 popup.nrat_date 2020-04-03 Close