Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0415U004401, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 01-07-2015 Статус Запланована Назва роботи Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si Здобувач Лис Роман Мирославович, Керівник Павлик Богдан Васильович Опонент Ільчук Григорій Архипович Опонент Шпотюк Олег Йосипович Опис Робота присвячена дослідженню процесів перебудови дефектів приповерхневого шару кристалів p-Si, стимульованих дією Х-опромінення та пружного механічного навантаження. Вперше виявлено ефект "радіаційної пам'яті" в одновісно деформованих кристалах. Визначено глибини залягання енергетичних рівнів структурних дефектів, перерізи захоплення носіїв заряду та їхні радіаційно-стимульовані зміни. На поверхні (111) експериментальних зразків p-Si для сонячної енергетики вперше виявлено формування агрегатів домішково-вакансійних комплексів та міжвузлових атомів у вигляді однаково орієнтованих чотирикутних пірамід розміром від 1 до 10 мкм. Дата реєстрації 2015-07-01 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si
2
Лис Роман Мирославович. Радіаційно- та деформаційно-стимульовані зміни властивостей приповерхневого шару кристалів p-Si : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2015-07-01; Статус: Захищена; Львівський національний університет імені Івана Франка. – , 0415U004401.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-17


Роздрукувати цю сторінку