1 documents found
Information × Registration Number 0416U000076, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 29-12-2015 popup.evolution o Title High-field and high-frequency transport of charge carriers in semiconductor structures based on GaN: Monte Carlo simulation Author Syngaivska Galyna Ivanivna, popup.head Korotyeyev Vadym Vyacheslavovich popup.opponent Дацюк Віталій Васильович popup.opponent Порошин Володимир Миколайович Description В дисертації представлені результати теоретичних досліджень кінетичних явищ, які виникають в епітаксійних GaN структурах з низькою концентрацією носіїв в умовах сильно нерівноважного розподілу носіїв заряду. Визначені умови формування режиму стримінгу і виникнення від'ємної диференціальної провідності, аналізується вплив магнітного поля на ці ефекти. На основі методу Монте-Карло запропоновано оригінальний метод розрахунку динамічної диференціальної провідності, яка характеризує відгук електронної підсистеми на високочастотне просторово-періодичне збурення. Registration Date 2015-12-29 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Candidate dissertation
1
Syngaivska Galyna Ivanivna. High-field and high-frequency transport of charge carriers in semiconductor structures based on GaN: Monte Carlo simulation : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : presented. 2015-12-29; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0416U000076.
1 documents found

Updated: 2026-03-24