Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0416U000076, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 29-12-2015 Статус Запланована Назва роботи Сильнопольовий та надвисокочастотний транспорт носіїв заряду в напівпровідникових структурах на основі GaN: моделювання методом Монте-Карло Здобувач Сингаївська Галина Іванівна, Керівник Коротєєв Вадим Вячеславович Опонент Дацюк Віталій Васильович Опонент Порошин Володимир Миколайович Опис В дисертації представлені результати теоретичних досліджень кінетичних явищ, які виникають в епітаксійних GaN структурах з низькою концентрацією носіїв в умовах сильно нерівноважного розподілу носіїв заряду. Визначені умови формування режиму стримінгу і виникнення від'ємної диференціальної провідності, аналізується вплив магнітного поля на ці ефекти. На основі методу Монте-Карло запропоновано оригінальний метод розрахунку динамічної диференціальної провідності, яка характеризує відгук електронної підсистеми на високочастотне просторово-періодичне збурення. Дата реєстрації 2015-12-29 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
Сильнопольовий та надвисокочастотний транспорт носіїв заряду в напівпровідникових структурах на основі GaN: моделювання методом Монте-Карло
1
Сингаївська Галина Іванівна. Сильнопольовий та надвисокочастотний транспорт носіїв заряду в напівпровідникових структурах на основі GaN: моделювання методом Монте-Карло : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2015-12-29; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0416U000076.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку