1 documents found
Information × Registration Number 0416U005192, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 07-09-2016 popup.evolution o Title High resolution X-ray diffractometry of GaN and graded AlGaN films and nanowires Author Stanchu Hryhorii Viktorovich, popup.head Kladko Vasyl Peter popup.opponent Репецький Станіслав Петрович popup.opponent Новіков Сергій Миколайович Description На основі ВРХД досліджено структурно-деформаційний стан GaN і градієнтних AlGaN плівок та НД. Розроблена теоретична модель для опису деформаційного стану НД GaN. Дано пояснення впливу Si-N прошарку на азимутальну орієнтацію НД GaN відносно Si підкладки, яке полягає в наявності орієнтованих граней Si-N. На основі кінематичної теорії дифракції Х-променів представлено ефективний метод для розрахунку товщинних профілів деформації та компонентного складу для градієнтних AlGaN плівках та НД. Registration Date 2016-09-07 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Candidate dissertation
1
Stanchu Hryhorii Viktorovich. High resolution X-ray diffractometry of GaN and graded AlGaN films and nanowires : к.ф.-м.н. : spec.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : presented. 2016-09-07; popup.evolution: .; Institute of Semiconductor Physics. – , 0416U005192.
1 documents found

Updated: 2026-03-21