Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0416U005192, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 07-09-2016 Статус Запланована Назва роботи Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN і градієнтних AlGaN плівок та нанодротів Здобувач Станчу Григорій Вікторович, Керівник Кладько Василь Петрович Опонент Репецький Станіслав Петрович Опонент Новіков Сергій Миколайович Опис На основі ВРХД досліджено структурно-деформаційний стан GaN і градієнтних AlGaN плівок та НД. Розроблена теоретична модель для опису деформаційного стану НД GaN. Дано пояснення впливу Si-N прошарку на азимутальну орієнтацію НД GaN відносно Si підкладки, яке полягає в наявності орієнтованих граней Si-N. На основі кінематичної теорії дифракції Х-променів представлено ефективний метод для розрахунку товщинних профілів деформації та компонентного складу для градієнтних AlGaN плівках та НД. Дата реєстрації 2016-09-07 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
1
Станчу Григорій Вікторович. Високороздільна Х-променева дифрактометрія GaN і градієнтних AlGaN плівок та нанодротів : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.07 - Фізика твердого тіла : дата захисту 2016-09-07; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – , 0416U005192.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-14