Search academic texts

Information × Registration Number 0417U000755, Candidate dissertation Status к.т.н. Date 20-03-2017 popup.evolution o Title Semiconductor barrier heterostructures n-Zn(O,S)/p-SnS and n-ZnS/p-Cu2ZnSnS4 for thin film solar cells of a new generation Author Lukianova Oleksandra Vitaliivna, popup.head Klochko Nataliya Petrivna popup.opponent Чугай Олег Миколайович popup.opponent Дейнеко Наталія Вікторівна Description Визначені оптимальні умови виготовлення однофазних шарів сульфіду олова SnS та кестериту Cu2ZnSnS4 методом електрохімічного осадження металевих прекурсорів з подальшою сульфурізацією. Для проведення процесу сульфурізації розроблено придатний для багаторазового використання розбірний реактор. Експериментально підтверджено, що синтезовані методом молекулярного нашаровування SILAR шари Cu2ZnSnS4 та SnS ефективно блокують пори і пустоти в вищевказаних напівпровідникових плівках та дають можливість одержувати комбіновані шари абсорберів p-SnS та p-Cu2ZnSnS4. Розроблено і виготовлено напівпровідникові бар'єрні гетероструктури Al/n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4/Mo/Al та Al/n-Zn(O,S)/р-SnS/Mo/Al, з оптимальними для використання в сонячних елементах значеннями послідовного опору. Синтез кестеритних базових шарів є більш складним на стадії виготовлення прекурсорів та потребує порівняно високих температур сульфурізації, проте за показниками висоти випрямляючого бар'єру та опору шунта гетероструктура n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4 є більш придатною для використання в складі сонячного елементу. Registration Date 2017-03-20 popup.nrat_date 2020-04-03 Close