Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0417U000755, Кандидатська дисертація На здобуття к.т.н. Дата захисту 20-03-2017 Статус Запланована Назва роботи Напівпровідникові бар'єрні гетероструктури n-Zn(O,S)/p-SnS і n-ZnS/p-Cu2ZnSnS4 для тонкоплівкових сонячних елементів нової генерації Здобувач Лук'янова Олександра Віталіївна, Керівник Клочко Наталя Петрівна Опонент Чугай Олег Миколайович Опонент Дейнеко Наталія Вікторівна Опис Визначені оптимальні умови виготовлення однофазних шарів сульфіду олова SnS та кестериту Cu2ZnSnS4 методом електрохімічного осадження металевих прекурсорів з подальшою сульфурізацією. Для проведення процесу сульфурізації розроблено придатний для багаторазового використання розбірний реактор. Експериментально підтверджено, що синтезовані методом молекулярного нашаровування SILAR шари Cu2ZnSnS4 та SnS ефективно блокують пори і пустоти в вищевказаних напівпровідникових плівках та дають можливість одержувати комбіновані шари абсорберів p-SnS та p-Cu2ZnSnS4. Розроблено і виготовлено напівпровідникові бар'єрні гетероструктури Al/n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4/Mo/Al та Al/n-Zn(O,S)/р-SnS/Mo/Al, з оптимальними для використання в сонячних елементах значеннями послідовного опору. Синтез кестеритних базових шарів є більш складним на стадії виготовлення прекурсорів та потребує порівняно високих температур сульфурізації, проте за показниками висоти випрямляючого бар'єру та опору шунта гетероструктура n-ZnS/р-Cu2ZnSnS4 є більш придатною для використання в складі сонячного елементу. Дата реєстрації 2017-03-20 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити