Search academic texts

Information × Registration Number 0418U003684, Candidate dissertation Status Кандидат технічних наук Date 31-10-2018 popup.evolution o Title Heterostructures based on porous semiconductors (Si, A2B6 and A3B5) Author Diadenchuk Alona Fedorivna, popup.head Kidalov Valeriy popup.opponent Kulish Mykola Rodionovich popup.opponent Voronov Sergiy Olersandrovych Description Дисертацію присвячено дослідженню фізико-технологічних умов вирощування низькорозмірних структур на поруватих поверхнях напівпровідників (Si, A2B6, A3B5) та вивченню їх властивостей для розширення уявлень про природу процесів у напівпровідникових гетероструктурах, що знайдуть широке застосування при виготовленні нових сучасних приладів опто- та мікроелектроніки, нанофотоніки тощо. Вперше отримано плівки SiC на макро- та мезопоруватій поверхні Si різної орієнтації методом хімічного заміщення атомів. Досліджено механізми росту плівок карбіду кремнію (SiC) методом заміщення атомів на мезо- і макропоруватих підкладках кремнію (Si) p- і n-типу провідності орієнтації (100) і (111). Методом радикало-променевої епітаксії виготовлено гетероструктури, що являють собою оксидні покриття ZnO та In2O3 на поруватій поверхні ZnSe та InP. Отримано нанотрубки оксиду цинку (висотою ~ десяти мікрон, зовнішній діаметр трубок варіює в межах від 0,5 до 2 мкм) на підкладці ZnSe та вбудовані нанотрубки оксиду індію на поверхні поруватого InP. Досліджено механізми росту напівпровідникових гетероструктур ZnO/porous-ZnSe/ZnSe та In2O3/porous-InP/InP. Виготовлено гетероструктуру GaN/porous-GaAs/GaAs, розглянуто модель процесу росту квантових цяток GaN у результаті обробки поруватого GaAs збудженими атомами азоту. За експериментальними і теоретичними розрахунками встановлено, що розмір квантових цяток GaN складає приблизно 20-30 нм. Розроблено технологію отримання гетероструктур CdS/porous-Si/Si шляхом хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS на поверхню кристалу porous-Si. Товщина шару CdS є однорідною і варіює від 100 до 120 нм, дослідження доводять рівномірний розподіл S і Cd по всій товщині плівки. Виготовлено та досліджено гетероструктуру ZnO:Al/porous-CdTe/CdTe. Рентгенівські дифрактометричні дослідження структури і фазовий склад електроосаджених шарів оксиду цинку виявили, що всі дифракційні піки, за винятком тих, що відносяться до підкладок porous-CdTe, відповідають гексагональній модифікації ZnO типу вюрцит. Registration Date 2018-10-31 popup.nrat_date 2020-04-03 Close