Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0418U003684, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат технічних наук Дата захисту 31-10-2018 Статус Запланована Назва роботи Гетероструктури на основі поруватих напівпровідників (Si, А2В6 та А3В5) Здобувач Дяденчук Альона Федорівна, Керівник Кідалов Валерій Віталійович Опонент Куліш Микола Родіонович Опонент Воронов Сергій Олександрович Опис Дисертацію присвячено дослідженню фізико-технологічних умов вирощування низькорозмірних структур на поруватих поверхнях напівпровідників (Si, A2B6, A3B5) та вивченню їх властивостей для розширення уявлень про природу процесів у напівпровідникових гетероструктурах, що знайдуть широке застосування при виготовленні нових сучасних приладів опто- та мікроелектроніки, нанофотоніки тощо. Вперше отримано плівки SiC на макро- та мезопоруватій поверхні Si різної орієнтації методом хімічного заміщення атомів. Досліджено механізми росту плівок карбіду кремнію (SiC) методом заміщення атомів на мезо- і макропоруватих підкладках кремнію (Si) p- і n-типу провідності орієнтації (100) і (111). Методом радикало-променевої епітаксії виготовлено гетероструктури, що являють собою оксидні покриття ZnO та In2O3 на поруватій поверхні ZnSe та InP. Отримано нанотрубки оксиду цинку (висотою ~ десяти мікрон, зовнішній діаметр трубок варіює в межах від 0,5 до 2 мкм) на підкладці ZnSe та вбудовані нанотрубки оксиду індію на поверхні поруватого InP. Досліджено механізми росту напівпровідникових гетероструктур ZnO/porous-ZnSe/ZnSe та In2O3/porous-InP/InP. Виготовлено гетероструктуру GaN/porous-GaAs/GaAs, розглянуто модель процесу росту квантових цяток GaN у результаті обробки поруватого GaAs збудженими атомами азоту. За експериментальними і теоретичними розрахунками встановлено, що розмір квантових цяток GaN складає приблизно 20-30 нм. Розроблено технологію отримання гетероструктур CdS/porous-Si/Si шляхом хімічного поверхневого осадження тонких плівок CdS на поверхню кристалу porous-Si. Товщина шару CdS є однорідною і варіює від 100 до 120 нм, дослідження доводять рівномірний розподіл S і Cd по всій товщині плівки. Виготовлено та досліджено гетероструктуру ZnO:Al/porous-CdTe/CdTe. Рентгенівські дифрактометричні дослідження структури і фазовий склад електроосаджених шарів оксиду цинку виявили, що всі дифракційні піки, за винятком тих, що відносяться до підкладок porous-CdTe, відповідають гексагональній модифікації ZnO типу вюрцит. Дата реєстрації 2018-10-31 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити