Registration Number
0419U000809, Candidate dissertation
Status
Кандидат хімічних наук
Date
22-03-2019
popup.evolution
.
Title
The Tl2X–CIII2X3–DIVX2 systems (CIII – Ga, In; DIV – Ge, Sn; X – S, Se): phase equilibria, glass formation and properties of intermediate phases
Author
Tsisar Oksana V.,
popup.head Piskach Liudmyla V.
popup.opponent Sabov Marian Yu.
popup.opponent Pavlyuk Volodymyr V.
popup.rada
State University "Uzhhorod National University"
Description
Дисертація містить результати дослідження фазових рівноваг та склоутворення у квазіпотрійних системах на основі халькогенідів Tl, Ga(In) та Ge(Sn). Вперше побудовано ізотермічні перерізи 8 систем типу Tl2X–CIII2X3–DIVX2 (CIII – Ga, In; DIV – Ge, Sn; X – S, Se) при 520 K. Встановлено існування 9 нових сполук (Tl2Ga20S31, Tl2Ga2GeSe6, TlGaGe2Se6, ~Tl7GaGeSe7, ~Tl5InGe2S8, Tl2In2GeS6, ~Tl2In2Ge3S10, Tl2Ga2SnSe6, ~Tl5,6InSn6,7S17,6). Досліджено кристалічну структуру сполук: Tl2Ga20S31, TlGaGe3S8, TlInGe2Se6 (власний структурний тип), TlGaSn2Se6 та TlInGe2S6. Досліджено електронну структуру, оптичні та нелінійно-оптичні властивості сполук TlCIIIDIV2X6. Встановлено області склоутворення при загартуванні розплавів від 1300 К в системах Tl2X–Ga(In)2X3–GeX2, визначено термічні, оптичні та нелінійно-оптичні властивості отриманих стекол.
Registration Date
2019-03-25
popup.nrat_date
2020-04-03 / 2026-06-29
