Search academic texts

Information × Registration Number 0419U001557, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 02-10-2019 popup.evolution o Title Properties of the gallium phosphide structure defects and their influence on LEDs parameters Author Malyi Yevhen, popup.head Tartachnyk Volodymyr popup.opponent Пелещак Роман Михайлович popup.opponent Ваксман Юрій Федорович Description Об'єкт дослідження: червоні та зелені світлодіодні структури на основі фосфіду галію і твердих розчинів GaAs1-xPx. Предмет дослідження: зміни електрофізичних та оптичних характеристик вихідних світлодіодних структур на основі GaP та GaAs1-xPx та опромінених електронами і швидкими нейтронами реактора; додатково вивчався також вплив на них ультразвукової обробки. Метою роботи є вивчення впливу простих і складних дефектів на характеристики вихідних та опромінених частинками різних видів світлодіодів. В роботі проводилися: 1. Вимірювання спектрів електролюмінесценції вихідних та опромінених світлодіодів при різних температурах. 2. Вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) вихідних та опромінених світлодіодів при різних температурах. 3. Дослідження впливу ультразвукової обробки (УЗО) на випромінювальну здатність вихідних та опромінених світлодіодів. Наукова новизна одержаних результатів: 1. Максимум випромінювання 2,254 еВ зеленого діода GaP (N), що виникає при Т = 77 К, генетично пов'язаний із лінією екситона, зв'язаного на ізольованому атомі азоту і є її фононним повторенням. Проведено ідентифікацію інших ліній випромінювання. 2. У формуванні додаткової смуги у спектрі червоних світлодіодів GaP приймають участь донорно-акцепторні переходи між неконтрольованою домішкою - оловом та основною домішкою - цинком, що проникають з приконтактної області приладу. 3. Вперше запропоновано модель формування S-подібної ділянки від'ємного диференційного опору (ВДО) на ВАХ GaP-світлодіодів при низьких температурах. . Registration Date 2019-10-02 popup.nrat_date 2020-04-03 Close