Кандидатська дисертація. Малий Євген Вікторович. Властивості дефектів структури у фосфіді галію та їхній вплив на параметри світлодіодів

Реєстраційний номер

0419U001557, Кандидатська дисертація

На здобуття

к.ф.-м.н.

Дата захисту

02-10-2019

Статус

Захищена

Назва роботи

Властивості дефектів структури у фосфіді галію та їхній вплив на параметри світлодіодів

Здобувач

Малий Євген Вікторович,

Керівник Тартачник Володимир Петрович
Опонент Пелещак Роман Михайлович
Опонент Ваксман Юрій Федорович

Установа, організація, у вченій раді якої відбудеться/відбувся захист

Державний заклад "Південноукраїнський національний педагогічний університет імені К.Д. Ушинського"

Опис

Об'єкт дослідження: червоні та зелені світлодіодні структури на основі фосфіду галію і твердих розчинів GaAs1-xPx. Предмет дослідження: зміни електрофізичних та оптичних характеристик вихідних світлодіодних структур на основі GaP та GaAs1-xPx та опромінених електронами і швидкими нейтронами реактора; додатково вивчався також вплив на них ультразвукової обробки. Метою роботи є вивчення впливу простих і складних дефектів на характеристики вихідних та опромінених частинками різних видів світлодіодів. В роботі проводилися: 1. Вимірювання спектрів електролюмінесценції вихідних та опромінених світлодіодів при різних температурах. 2. Вимірювання вольт-амперних характеристик (ВАХ) вихідних та опромінених світлодіодів при різних температурах. 3. Дослідження впливу ультразвукової обробки (УЗО) на випромінювальну здатність вихідних та опромінених світлодіодів. Наукова новизна одержаних результатів: 1. Максимум випромінювання 2,254 еВ зеленого діода GaP (N), що виникає при Т = 77 К, генетично пов'язаний із лінією екситона, зв'язаного на ізольованому атомі азоту і є її фононним повторенням. Проведено ідентифікацію інших ліній випромінювання. 2. У формуванні додаткової смуги у спектрі червоних світлодіодів GaP приймають участь донорно-акцепторні переходи між неконтрольованою домішкою - оловом та основною домішкою - цинком, що проникають з приконтактної області приладу. 3. Вперше запропоновано модель формування S-подібної ділянки від'ємного диференційного опору (ВДО) на ВАХ GaP-світлодіодів при низьких температурах. .

Дата реєстрації

2019-10-15

Додано/оновлено в НРАТ

2020-04-03 / 2026-06-30