Search academic texts

Information × Registration Number 0419U005532, Candidate dissertation Status Кандидат фізико-математичних наук Date 10-12-2019 popup.evolution o Title Charge transport, capture and emission processes in nanostructured insulator of metal-insulator-silicon structures. Author Ievtukh Valerii Anatoliiovych, popup.head Nazarov Oleksii Mykolaiovych Oleksii Mykolaiovych popup.opponent Poroshyn Volodymyr Mykolaiovych popup.opponent Lytvynenko Serhii Vasylovych Description Дисертація присвячена експериментальному дослідженню електронних процесів переносу заряду в наноструктурованому діелектрику, що містить нановключення кремнію. Була розроблена та виготовлена унікальна установка для вимірів вольт-фарадних характеристик та використано ряд оригінальних методів вимірів та обробки результатів. Вперше продемонстровано можливість уніполярного програмування приладів нанокристалічної пам’яті, яке пов’язане виключно з малими розмірами нанокристалітів і локальним підсиленням електричного поля у нанокристаліті. Було запропоновано 3-стадійну модель стікання заряду, яка базується на існуванні в діелектрику зарядів обох знаків і присутності взаємозалежних процесів. Встановлено, що двошаровий нанокристалічний плаваючий затвор ефективно забезпечує блокування накопиченого заряду від стікання. Визначено енергетичні характеристики структур нанокристалічної пам’яті з одним і двома шарами нанокристалів та побудовані енергетичні зонні діаграми. Встановлені механізми електронного транспорту в залежності від напруженості електричного поля та температури в структурах, що містять нанокристали кремнію і нанокристали кремнію та заліза при постійному та змінному струмах і визначено енергетичне залягання пасток та їх концентрацію. Вперше показано, що імпеданс структур з плівкою SiOx(Si,Fe) має індуктивний характер до частоти  1 МГц. Registration Date 2019-12-10 popup.nrat_date 2020-04-03 Close