Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0419U005532, Кандидатська дисертація На здобуття Кандидат фізико-математичних наук Дата захисту 10-12-2019 Статус Запланована Назва роботи Процеси транспорту, захоплення і емісії заряду в наноструктурованому діелектрику структур метал-діелектрик-кремній. Здобувач Євтух Валерій Анатолійович, Керівник Назаров Олексій Миколайович Опонент Порошин Володимир Миколайович Опонент Литвиненко Сергій Васильович Опис Дисертація присвячена експериментальному дослідженню електронних процесів переносу заряду в наноструктурованому діелектрику, що містить нановключення кремнію. Була розроблена та виготовлена унікальна установка для вимірів вольт-фарадних характеристик та використано ряд оригінальних методів вимірів та обробки результатів. Вперше продемонстровано можливість уніполярного програмування приладів нанокристалічної пам’яті, яке пов’язане виключно з малими розмірами нанокристалітів і локальним підсиленням електричного поля у нанокристаліті. Було запропоновано 3-стадійну модель стікання заряду, яка базується на існуванні в діелектрику зарядів обох знаків і присутності взаємозалежних процесів. Встановлено, що двошаровий нанокристалічний плаваючий затвор ефективно забезпечує блокування накопиченого заряду від стікання. Визначено енергетичні характеристики структур нанокристалічної пам’яті з одним і двома шарами нанокристалів та побудовані енергетичні зонні діаграми. Встановлені механізми електронного транспорту в залежності від напруженості електричного поля та температури в структурах, що містять нанокристали кремнію і нанокристали кремнію та заліза при постійному та змінному струмах і визначено енергетичне залягання пасток та їх концентрацію. Вперше показано, що імпеданс структур з плівкою SiOx(Si,Fe) має індуктивний характер до частоти  1 МГц. Дата реєстрації 2019-12-10 Додано в НРАТ 2020-04-03 Закрити
Дисертація кандидатська
2
Євтух Валерій Анатолійович. Процеси транспорту, захоплення і емісії заряду в наноструктурованому діелектрику структур метал-діелектрик-кремній. : Кандидат фізико-математичних наук : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 2019-12-10; Статус: Захищена; Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України. – Київ, 0419U005532.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-18