Search academic texts

Information × Registration Number 0495U000209, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 20-01-1995 popup.evolution o Title Author Атдаев Байрамгылыч Сапаргылыджович, popup.head Родионов В.Е. popup.head Булах Б.М. popup.opponent Дякин В.В. popup.opponent Конакова Р.В. Description Объект исследования: Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе материалов типа А2В6. Цель исследования: Получение данных о зависимости свойств структур от условий их получения. Методы исследования и аппаратура: Электрические и фотоэлектрические. Теоретические результаты и новизна: Определены коэффициент поглощения для пленок СdTe, полученных твердофазным замещением. Практические результаты и новизна: Разработан новый метод получения гетероструктур на базе А2В6. Сфера (область) использования: Фотоэлектронике, оптоэлектронике. Registration Date 1995-01-20 popup.nrat_date 2020-05-17 Close