Знайдено документів: 1
Інформація × Реєстраційний номер 0495U000209, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 20-01-1995 Статус Запланована Назва роботи Исследование тонкопленочных, фоточувтсвительных гетеропереходов, на основе полупроводниковых материалов типа А2В6. полученных с использованием химико-парофазного синтеза Здобувач Атдаев Байрамгылыч Сапаргылыджович, Керівник Родионов В.Е. Керівник Булах Б.М. Опонент Дякин В.В. Опонент Конакова Р.В. Опис Объект исследования: Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе материалов типа А2В6. Цель исследования: Получение данных о зависимости свойств структур от условий их получения. Методы исследования и аппаратура: Электрические и фотоэлектрические. Теоретические результаты и новизна: Определены коэффициент поглощения для пленок СdTe, полученных твердофазным замещением. Практические результаты и новизна: Разработан новый метод получения гетероструктур на базе А2В6. Сфера (область) использования: Фотоэлектронике, оптоэлектронике. Дата реєстрації 1995-01-20 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити
Дисертація кандидатська
Исследование тонкопленочных, фоточувтсвительных гетеропереходов, на основе полупроводниковых материалов типа А2В6. полученных с использованием химико-парофазного синтеза
Атдаев Байрамгылыч Сапаргылыджович. Исследование тонкопленочных, фоточувтсвительных гетеропереходов, на основе полупроводниковых материалов типа А2В6. полученных с использованием химико-парофазного синтеза : к.ф.-м.н. : спец.. 01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків : дата захисту 1995-01-20; Статус: Захищена; Институт физики полупроводников НАН Украины. – , 0495U000209.
Знайдено документів: 1

Оновлено: 2026-03-20


Роздрукувати цю сторінку