Registration Number
0495U003164, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
21-09-1995
popup.evolution
.
Title
Author
Сейковский Иван Дезидерович,
popup.head Попик Ю.В.
popup.opponent Дмытрук М.Л.
popup.opponent Герзанич Е.И.
popup.rada
Description
Объект исследования: Нами выбраны монокристаллические образцы Sn2, P2S6, Sn2P2Se6, Ag3AsS3. Цель исследования: Изучить влияние состояния электронной подсистемы на полупроводниковые и сегнетоэлектрические свойства. Методы исследования и аппаратура: Электрофизические, оптические, аппаратура сверхвысокого вакуума. Теоретические результаты и новизна: Впервые проведены комплексные экспериментальные исследования электронных процессов при адсорбции и фотовозбуждении. Практические результаты и новизна: Предложена новая методика идентификации поверхностных и объемных локальных уровней. Новый способ измерения давления газов. Предмет и степень внедрения: Изготовленный лабораторный датчик давления газов. Сфера (область) использования: Химические технологии и разработка газовых анализаторов.
Registration Date
1999-02-08
popup.nrat_date
2020-05-18 / 2026-06-30
