Search academic texts

Information × Registration Number 0497U004689, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 26-06-1997 popup.evolution o Title Author Пащенко Алексей Георгиевич, popup.head Ванцан В.М. popup.opponent Прохоров Э.Д. popup.opponent Доля Г.Н. Description Объект исследования: Полупроводниковые квантоворазмерные инжекционные лазеры на основе GaAs/AlGaAs. Цель исследования: Математическая модель квантоворазмерной структуры, которая учитывает влияние излучающих переходов на процесс лазерной генерации. Методы исследования и аппаратура: Вычислительный эксперимент на ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Предложенная математическая модель инжекционного полупроводникового квантоворазмерного лазера с учетом генерации на излучающих экситонных переходах разработана на основе скоростных уровней. Получены выходные храктеристики экситонной лазерной генерации. Практические результаты и новизна: Физически обоснована стабильность экситонных лазерных уровней в квантоворазмерной структуре с квантовыми ямами произвольной глубины и ширины. Предмет и степень внедрения: Математическая модель и пакет прикладных программ. Сфера (область) использования: Математическое моделирование физических процессов в полупроводниковых лазерах и лазерных системах. Registration Date 1997-06-26 popup.nrat_date 2020-05-17 Close