Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0497U004689, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 26-06-1997 Статус Запланована Назва роботи Разработка математической модели для расчета полупроводниковых квантоворазмерных инжекционных лазеров на основе GaAs/AlGaAs с учетом экситонных эффектов Здобувач Пащенко Алексей Георгиевич, Керівник Ванцан В.М. Опонент Прохоров Э.Д. Опонент Доля Г.Н. Опис Объект исследования: Полупроводниковые квантоворазмерные инжекционные лазеры на основе GaAs/AlGaAs. Цель исследования: Математическая модель квантоворазмерной структуры, которая учитывает влияние излучающих переходов на процесс лазерной генерации. Методы исследования и аппаратура: Вычислительный эксперимент на ЭВМ. Теоретические результаты и новизна: Предложенная математическая модель инжекционного полупроводникового квантоворазмерного лазера с учетом генерации на излучающих экситонных переходах разработана на основе скоростных уровней. Получены выходные храктеристики экситонной лазерной генерации. Практические результаты и новизна: Физически обоснована стабильность экситонных лазерных уровней в квантоворазмерной структуре с квантовыми ямами произвольной глубины и ширины. Предмет и степень внедрения: Математическая модель и пакет прикладных программ. Сфера (область) использования: Математическое моделирование физических процессов в полупроводниковых лазерах и лазерных системах. Дата реєстрації 1997-06-26 Додано в НРАТ 2020-05-17 Закрити