к.ф.-м.н., 01.04.10, Фізика напівпровідників і діелектриків
Date
26-12-1997
Description
Объект исследования: Кристаллы CdS и Agx Gax Ge1-x Se2. Цель исследования: Определение основных параметров кристаллов Agx Gax Ge1-x Se2 и построение моделей оптически активных центров. Методы исследования и аппаратура: Оптические, электрические, фотоэлектрические. Теоретические результаты и новизна: Уточнены стадии отжига центров зеленой люминесценции CdS, установлены модели структурных повреждений ответственных за оптическое поглащение в Agx Gax Ge1-x Se2. Практические результаты и новизна: Предложен способ уменьшения коэффициента поглащения монокристаллов Agx Gax Ge1-x Se2 в области окон пропускания. Предмет и степень внедрения: Способ получения катодолюминофоров на основе CdS. Эффективность внедрения: Повышение квантового выхода красной люминесценции CdS в видимой области спектра. Сфера (область) использования: Нелинейная оптика. Производство катодолюминофоров.
