Registration Number
0498U002167, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
30-10-1998
popup.evolution
.
Title
Author
Евдокименко Андрей Валериевич,
popup.head Фодчук И.М.
popup.opponent Молодкин В.Б.
popup.opponent Раренко И.М.
popup.opponent Ковалюк З.Д.
popup.rada
Description
Объект исследования: Кристаллы Si,CdTe, структуры CdHgTe/CdTe. Цель исследования: Экспериментальное и теоретическое исследование структурных изменений в приповерхностных слоях кристаллов после ионного травления и имплантации. Методы исследования и аппаратура: Одно- и двухкристальная рентгеновская дифрактометрия и топография, метод интегральной интенсивности и числовые методы. Теоретические результаты и новизна: В кинематическом приближении теории рассеяния разработана методика и соответствующие алгоритмы расчета распределения деформаций в приповерхностных слоях кристаллов. Практические результаты и новизна: Проведены комплексные рентгенодифракционные исследования распределения деформаций в приповерхностных слоях кристаллов. Разработаны устройства для топографии и дифрактометрии кристаллов в области углов полного внешнего отражения. Предмет и степень внедрения: Рентгеновские методы структурной диагностики совершенства реальных кристаллов. Эффективность внедрения: Возможность выборочного с шагом ~0.01 мкм контроля структурных изменений приповерхностных слоев реальных кристаллов. Сфера (область) использования: Полупроводниковое материаловедение, физика твердого тела.
Registration Date
1998-12-04
popup.nrat_date
2020-05-17 / 2026-06-30
