Registration Number
0499U002038, Candidate dissertation
Status
к.ф.-м.н.
Date
19-02-1999
popup.evolution
.
Title
Formation of Ge33As12Se55 - p-Si heterostructures, their mechanical features and peculiarities of charge beares transfrerence
Author
Kondrat Oleksandr Borysovych,
popup.head Довгошей М.И.
popup.opponent Венгренович Р.Д.
popup.opponent Маслюк В.Т.
popup.rada
Yuri Fedkovych Chernivtsi National University
Description
Об'єкт дослiдження: гетероструктура халькогенiдне скло Ge33As12Se55 - кристалiчний p-Si. Мета дослiдження: на основi розрахункiв та експериментальних дослiджень розкрити особливостi переносу i накопичення носїїв заряду в гетероструктурах Ge33As12Se55 - p-Si, а також вплив на їх механiчнi властивостi технологiчних режимiв одержання плiвок, термообробки i високоенергетичного електронного опромiнення. Методи дослiдження та апаратура: лазерної iнтерферометрiї, вольт-амперних характеристик на постiйному i змiнному струмi, вольт-фарадних характеристик, просвiтлюючої електронної мiкроскопiї, Оже-електронної спектроскопiї, лазерний дилатометр, розривна машина. Теоретичнi i практичнi результати, новiтнiсть впроваджуваного: Показана можливiсть теоретичного визначення енергiї електронноє спорiдненостi багатокомпонентних халькогенiдних стекол. Вперше встановлений механiзм переносу носiїв заряду через гетероперехiд Ge33As12Se55 - p-Si в постiйних електричних полях. Розкрита роль поверхневих станiв на межi подiлу г етероструктури Ge33As12Se55 - p-Si i побудована схема її енергетичних зон iз врахуванням цих станiв. Оптимiзована технологiя виготовлення гетероструктур. Розроблений метод пошуку оптимальних складiв стекол, стiйких до високоенергетичного електронного опромiнення. Ступiнь упровадження: Планується. Сфера (галузь) використання: мiкро- та оптоелектронiка.
Registration Date
2000-11-01
popup.nrat_date
2021-03-18 / 2026-06-30
