Search academic texts

Information × Registration Number 0499U003047, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-11-1999 popup.evolution o Title Optical and photoelectric characteristics of metal-semiconductor (GaAs, InP, Si) solid state structures with transition layer Author Fursenko Oksana Volodymyrivna, popup.head Дмитрук М.Л. popup.opponent Фекешгазі І.В. popup.opponent Шайкевич І.А. Description Твердотільні структури метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром. Дослідити оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури метал-напівпровідник з перехідним шаром різної фізико-хімічної природи та їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури в цілому. Методи - еліпсометрія (звичайна і поляритонна), спектроскопія пропускання / відбивання, електричні та фотоелектричні вимірювання, оже-електронна спектроскопія, атомно-силова мікроскопія, теоретичний аналіз пропускання та відбивання світла твердотільними структурами. Розроблено неруйнівний комбінований оптичний метод визначення оптичних параметрів та товщин двошарових поглинаючих систем на прозорих підкладинках на основі звичайної та поляритонної еліпсометрії та спектроскопії пропускання. Обгрунтовано можливість використання фотоплеохроїзму при похилому падінні лінійно-поляризованого світла на межу розділу метал-напiвпровiдник з промiжним шаром для розробки високочутливих фотоаналізаторів. Встановлено додатк овий механiзм підсилення фоточутливостi структур з квазідвовимірним мікрорельєфом, пов'язаний зі збудженням поверхневих поляритонів, що може бути використано в приладах поляритонної оптоелектроніки. Registration Date 2001-04-03 popup.nrat_date 2021-03-17 Close