Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0499U003047, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-11-1999 Статус Запланована Назва роботи Оптичні та фотоелектричні властивості твердотільних структур метал-напівпровідник (GaAs,InP, Si) з перехідним шаром Здобувач Фурсенко Оксана Володимирівна, Керівник Дмитрук М.Л. Опонент Фекешгазі І.В. Опонент Шайкевич І.А. Опис Твердотільні структури метал-напівпровідник (GaAs, InP, Si) з перехідним шаром. Дослідити оптичні властивості твердотільних компонент бар'єрної структури метал-напівпровідник з перехідним шаром різної фізико-хімічної природи та їх вплив на оптичні та фотоелектричні характеристики структури в цілому. Методи - еліпсометрія (звичайна і поляритонна), спектроскопія пропускання / відбивання, електричні та фотоелектричні вимірювання, оже-електронна спектроскопія, атомно-силова мікроскопія, теоретичний аналіз пропускання та відбивання світла твердотільними структурами. Розроблено неруйнівний комбінований оптичний метод визначення оптичних параметрів та товщин двошарових поглинаючих систем на прозорих підкладинках на основі звичайної та поляритонної еліпсометрії та спектроскопії пропускання. Обгрунтовано можливість використання фотоплеохроїзму при похилому падінні лінійно-поляризованого світла на межу розділу метал-напiвпровiдник з промiжним шаром для розробки високочутливих фотоаналізаторів. Встановлено додатк овий механiзм підсилення фоточутливостi структур з квазідвовимірним мікрорельєфом, пов'язаний зі збудженням поверхневих поляритонів, що може бути використано в приладах поляритонної оптоелектроніки. Дата реєстрації 2001-04-03 Додано в НРАТ 2021-03-17 Закрити