Search academic texts

Information × Registration Number 0499U003095, Candidate dissertation Status к.ф.-м.н. Date 19-11-1999 popup.evolution o Title Optical properties of silicon, germanium and carbon nanostructures, obtained by ion implantation Author Yukhymchuk Volodymyr Oleksandrovych, popup.head Валах Михайло Якович popup.opponent Блонський Іван Васильович popup.opponent Білий Микола Михайлович Description Дисертація присвячена експериментальному дослідженню оптичних властивостей кремнієвих, германієвих квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та дослідженню прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу. Встановлено, що випромінювання Si/SiO2:Si+ зразків в області 620 нм і 740 нм має різну природу. Перша смуга ФЛ має дефектну природу. Друга смуга пов'язана із формуванням кремнієвих квантових точок в SiO2-матриці. Методом спектроскопії КРС оцінено розміри нанокристалітів Si та Ge в SiO2. Встановлено кореляцію між структурними особливостями вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та інтенсивністю ФЛ Si/SiO2-структур, імплантованих іонами С+. Оптичними методами встановлено, що відмінність іонних радіусів атомів кисню та вуглецю від іонного радіуса кремнію може бути використана при подвійній імплантації іонів О+ та С+ для ефективного формування в кремнії прихованих шарів SiO2 або SiC. Визначено величини та розподіл механічних напружень в шарах Si, що виникають при іонно-променевому синтезі прихованих SixGe1-x шарів. Registration Date 2001-04-06 popup.nrat_date 2021-03-17 Close