Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0499U003095, Кандидатська дисертація На здобуття к.ф.-м.н. Дата захисту 19-11-1999 Статус Запланована Назва роботи Оптичні властивості кремнієвих, германієвих і вуглецевих наноструктур, одержаних імплантацією Здобувач Юхимчук Володимир Олександрович, Керівник Валах Михайло Якович Опонент Блонський Іван Васильович Опонент Білий Микола Михайлович Опис Дисертація присвячена експериментальному дослідженню оптичних властивостей кремнієвих, германієвих квантових точок та вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та дослідженню прихованих шарів SiO2, SiC, SixGe1-x в кремнії, що формувалися за допомогою іонної імплантації та наступного високотемпературного відпалу. Встановлено, що випромінювання Si/SiO2:Si+ зразків в області 620 нм і 740 нм має різну природу. Перша смуга ФЛ має дефектну природу. Друга смуга пов'язана із формуванням кремнієвих квантових точок в SiO2-матриці. Методом спектроскопії КРС оцінено розміри нанокристалітів Si та Ge в SiO2. Встановлено кореляцію між структурними особливостями вуглецевих кластерів в SiO2-матриці та інтенсивністю ФЛ Si/SiO2-структур, імплантованих іонами С+. Оптичними методами встановлено, що відмінність іонних радіусів атомів кисню та вуглецю від іонного радіуса кремнію може бути використана при подвійній імплантації іонів О+ та С+ для ефективного формування в кремнії прихованих шарів SiO2 або SiC. Визначено величини та розподіл механічних напружень в шарах Si, що виникають при іонно-променевому синтезі прихованих SixGe1-x шарів. Дата реєстрації 2001-04-06 Додано в НРАТ 2021-03-17 Закрити