Search academic texts

Information × Registration Number 0502U000157, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 19-04-2002 popup.evolution o Title Formation of acceptor band by point defects and dopes in narrow-gap p-Hg1-xCdxTe crystals Author Bogoboyashchyy Viktor Volodymyrovych, popup.head Sizov Fedir Fedorovych popup.opponent Власенко Олександр Іванович popup.opponent Данильченко Борис Олександрович popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович Description У дисертації подано результати дослідження властивостей кристалів і епітаксійних структур вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe, пов'язаних з активними точковими дефектами і домішками. Узгоджено параметри зонної структури Hg1-xCdxTe і показано, що зона важких дірок при малих енергіях істотно непараболічна. Побудовано прецизійний оптичний метод роздільного вимірювання концентрації електронів і дірок при кімнатній температурі. Визначено константи рівноваги власних дефектів та механізми їх взаємодії при низьких температурах. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості легованих кристалів n- і p-типу при 77 К, особливості стрибкової та металічної провідності, будову та характеристики акцепторної зони кристалів p-Hg1-xCdxTe. Вивчено взаємовплив підкладки й епітаксійного шару Hg1-xCdxTe. Запропоновано новий напрямок застосування варізонних структур p-Hg1-xCdxTe. Registration Date 2002-04-19 popup.nrat_date 2020-04-04 Close