Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0502U000157, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 19-04-2002 Статус Запланована Назва роботи Формування акцепторної зони дефектами і домішками в кристалах вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe Здобувач Богобоящий Віктор Володимирович, Керівник Сизов Федір Федорович Опонент Власенко Олександр Іванович Опонент Данильченко Борис Олександрович Опонент Лашкарьов Георгій Вадимович Опис У дисертації подано результати дослідження властивостей кристалів і епітаксійних структур вузькощілинного p-Hg1-xCdxTe, пов'язаних з активними точковими дефектами і домішками. Узгоджено параметри зонної структури Hg1-xCdxTe і показано, що зона важких дірок при малих енергіях істотно непараболічна. Побудовано прецизійний оптичний метод роздільного вимірювання концентрації електронів і дірок при кімнатній температурі. Визначено константи рівноваги власних дефектів та механізми їх взаємодії при низьких температурах. Досліджено електрофізичні та фотоелектричні властивості легованих кристалів n- і p-типу при 77 К, особливості стрибкової та металічної провідності, будову та характеристики акцепторної зони кристалів p-Hg1-xCdxTe. Вивчено взаємовплив підкладки й епітаксійного шару Hg1-xCdxTe. Запропоновано новий напрямок застосування варізонних структур p-Hg1-xCdxTe. Дата реєстрації 2002-04-19 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити