Search academic texts

Information × Registration Number 0504U000220, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 23-04-2004 popup.evolution o Title Electronic phenomena in narrow-gap and gapless semiconductor alloys due to changes of the energy band structure Author Gasan-zade Salim Gjulerzaevich, popup.head Shepelskii Georgii Anatolievich popup.head Venger Evgenii Fedorovich popup.opponent Берченко Микола Миколайович popup.opponent Єлізаров Олександр Іванович popup.opponent Кладько Василь Петрович Description У дисертації подано результати дослідження закономірностей змін і особливостей нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації ОД, магнітного поля Н, або пасивації поверхні анодним окислом. З'ясовано причини і пояснено низку вперше отриманих експериментальних результатів, серед яких найважливіші наступні: перехід метал-діелектрик-метал в БН CdxHg1-xTe (КРТ) з х"0.16 під впливом ОД, різке зростання надвисокочастотної (мм) фоточутливості БН КРТ при розкритті енергетичної щілини ОД чи Н, електромагнітне випромінювання (("100 мкм) стимульованого типу із одноосьово напружених БН КРТ (х"0.14), різкі зміни часу життя носіїв струму і багаторазове підвищення квантового виходу рекомбінаційного випромінювання із ВН внаслідок змін рекомбінаційних механізмів під дією ОД. Доведена можливість суттєвого підвищення фоточутливості кубічних ВН і застосування їх як ефективних джерел випромінювання в інфрачервоному діапазоні. Registration Date 2004-04-23 popup.nrat_date 2020-04-04 Close