Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0504U000220, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 23-04-2004 Статус Запланована Назва роботи Електронні явища в вузькощілинних та безщілинних напівпровідникових сполуках за умов регулювання параметрами енергетичної структури Здобувач Гасан-заде Салім Гюльрзаєвич, Керівник Шепельський Георгій Анатолійович Керівник Венгер Євген Федорович Опонент Берченко Микола Миколайович Опонент Єлізаров Олександр Іванович Опонент Кладько Василь Петрович Опис У дисертації подано результати дослідження закономірностей змін і особливостей нерівноважних процесів, механізмів рекомбінації та фото- і електрофізичних властивостей вузькощілинних (ВН) та безщілинних (БН) напівпровідників, що відбуваються внаслідок перебудови енергетичної структури під впливом пружної одноосьової деформації ОД, магнітного поля Н, або пасивації поверхні анодним окислом. З'ясовано причини і пояснено низку вперше отриманих експериментальних результатів, серед яких найважливіші наступні: перехід метал-діелектрик-метал в БН CdxHg1-xTe (КРТ) з х"0.16 під впливом ОД, різке зростання надвисокочастотної (мм) фоточутливості БН КРТ при розкритті енергетичної щілини ОД чи Н, електромагнітне випромінювання (("100 мкм) стимульованого типу із одноосьово напружених БН КРТ (х"0.14), різкі зміни часу життя носіїв струму і багаторазове підвищення квантового виходу рекомбінаційного випромінювання із ВН внаслідок змін рекомбінаційних механізмів під дією ОД. Доведена можливість суттєвого підвищення фоточутливості кубічних ВН і застосування їх як ефективних джерел випромінювання в інфрачервоному діапазоні. Дата реєстрації 2004-04-23 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити