Search academic texts

Information × Registration Number 0504U000692, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 24-12-2004 popup.evolution o Title Physical bases of semiconductor devices for extreme electronics. Author Shwarts Yuriy Mikhailovich, popup.opponent Лисенко Володимир Сергійович popup.opponent Третяк Олег Васильович popup.opponent Литовченко Петро Григорович Description У дисертації представлено результати комплексних досліджень основних закономірностей і особливостей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих сильно компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Враховано перебудови їх енергетичної структури під впливом границі розділу Ge-GaAs і внутрішніх механічних напружень в умовах впливу температури, деформації і магнітного поля. Встановлено взаємозв'язок електрофізичних та теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками сильного легованих p-n-структур Si з урахуванням зміни домінуючих механізмів струмопереносу в умовах впливу температури, електричного поля і радіації. Фізично обґрунтовані і реалізовані нові типи мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки. Registration Date 2004-12-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close