Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0504U000692, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 24-12-2004 Статус Запланована Назва роботи Фізичні основи напівпровідникових приладів екстремальної електроніки Здобувач Шварц Юрій Михайлович, Опонент Лисенко Володимир Сергійович Опонент Третяк Олег Васильович Опонент Литовченко Петро Григорович Опис У дисертації представлено результати комплексних досліджень основних закономірностей і особливостей у змінах структурних, електрофізичних, термо-, магніто- і тензорезистивних властивостей сильно легованих сильно компенсованих гетероепітаксійних плівок Ge. Враховано перебудови їх енергетичної структури під впливом границі розділу Ge-GaAs і внутрішніх механічних напружень в умовах впливу температури, деформації і магнітного поля. Встановлено взаємозв'язок електрофізичних та теплофізичних властивостей з конструктивно-технологічними параметрами і термометричними характеристиками сильного легованих p-n-структур Si з урахуванням зміни домінуючих механізмів струмопереносу в умовах впливу температури, електричного поля і радіації. Фізично обґрунтовані і реалізовані нові типи мікроелектронних приладів для екстремальної електроніки. Дата реєстрації 2004-12-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити