Search academic texts

Information × Registration Number 0508U000399, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 24-06-2008 popup.evolution o Title Cluster effect of radiation defects in atomic and binary semiconductors. Author Dolgolenko Aleksandr Petrovich, popup.opponent Лашкарьов Георгій Вадимович popup.opponent Данильченко Борис Олександрович popup.opponent Скришевський Валерій Антонович Description Дисертацію присвячено дослідженню ефектів, викликаних процесами взаємодії високоенергетичного ядерного випромінювання (швидких нейтронів реактора, електронів і протонів з енергією 50 МеВ та 24 ГеВ протонів) з атомарними та бінарними напівпровідниками (Si, InSb, InP, Si<Ge>, Cu2Se), вивченню зміни їх електрофізичних властивостей за рахунок ефектів кластеризації радіаційних дефектів як у процесі опромінювання, так і в процесі термічного відпалу. У роботі розв'язано проблему взаємодії радіаційних дефектів з екрануючими центрами в областях просторового заряду кластерів дефектів. На основі її вирішення розраховано ефективну концентрацію носіїв у залежності від температури і дози опромінення n і p Sі високоенергетичними ядерними частинками у рамках уточненої моделі кластерів дефектів; запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості ядерних детекторів шляхом легування n Sі донорними домішками (хромом чи сіркою); визначено критерії радіаційної стійкості, термічної стабільності кластерів дефектів і окремих простих дефектів; досліджено модифікацію радіаційних дефектів за рахунок фонових домішок вуглецю і кисню; знайдено енергетичне положення міжвузлових атомів кремнію в забороненій зоні кремнію; пояснено експериментально визначену високу ймовірність утворення кластерів, створених протонами з енергією 24 ГеВ, а також малу енергію активації їх відпалу кластеризацією радіаційних дефектів. Registration Date 2008-06-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close