Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0508U000399, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 24-06-2008 Статус Запланована Назва роботи Ефекти кластеризації радіаційних дефектів в атомарних і бінарних напівпровідниках. Здобувач Долголенко Олександр Петрович, Опонент Лашкарьов Георгій Вадимович Опонент Данильченко Борис Олександрович Опонент Скришевський Валерій Антонович Опис Дисертацію присвячено дослідженню ефектів, викликаних процесами взаємодії високоенергетичного ядерного випромінювання (швидких нейтронів реактора, електронів і протонів з енергією 50 МеВ та 24 ГеВ протонів) з атомарними та бінарними напівпровідниками (Si, InSb, InP, Si<Ge>, Cu2Se), вивченню зміни їх електрофізичних властивостей за рахунок ефектів кластеризації радіаційних дефектів як у процесі опромінювання, так і в процесі термічного відпалу. У роботі розв'язано проблему взаємодії радіаційних дефектів з екрануючими центрами в областях просторового заряду кластерів дефектів. На основі її вирішення розраховано ефективну концентрацію носіїв у залежності від температури і дози опромінення n і p Sі високоенергетичними ядерними частинками у рамках уточненої моделі кластерів дефектів; запропоновано спосіб підвищення радіаційної стійкості ядерних детекторів шляхом легування n Sі донорними домішками (хромом чи сіркою); визначено критерії радіаційної стійкості, термічної стабільності кластерів дефектів і окремих простих дефектів; досліджено модифікацію радіаційних дефектів за рахунок фонових домішок вуглецю і кисню; знайдено енергетичне положення міжвузлових атомів кремнію в забороненій зоні кремнію; пояснено експериментально визначену високу ймовірність утворення кластерів, створених протонами з енергією 24 ГеВ, а також малу енергію активації їх відпалу кластеризацією радіаційних дефектів. Дата реєстрації 2008-06-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити