Search academic texts

Information × Registration Number 0512U000819, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 29-10-2012 popup.evolution o Title Electrophysics properties of semiconductor heterostructures with the layers of quantum dots and quantum wells Author Ilchenko Vladimir Vasilyevich, popup.head Tretiak Oleg Vasilyevich popup.opponent Євтух Анатолій Антонович popup.opponent Жарких Юрій Серафімович popup.opponent Лепіх Ярослав Ілліч Description Показано, що за допомогою методів спектроскопії повної провідності (СПП) та релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів (РСГР) можна проводити ефективну діагностику структур з квантовими точками (КТ). Вперше експери-ментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності (НДЄ) при кімнатних температурах, передбачений теоретичними розрахунками. Запропоно-вано новий метод визначення ряду параметрів КТ. Вивчено вплив попередньої обробки поверхні Si атомами B(бора) на формування Ge КТ в Si. Досліджено особливості ефекту запам'ятовування в структурах з нанокластерами Si в SiO2. Показано, що накопичення заряду в шарах InAs КТ, розміщених поблизу 2D каналу на гетерограниці GaAs/AlGaAs, веде до виникнення ефекту НДЄ на ВФХ між затвором та витоком FET структур. Досліджено вплив перезарядки InAs КТ на перехідні характеристики цих структур. Встановлено існування характерної для тунельно-резонансного транспорту нелінійності прямої гілки ВАХ для двобар'єрних гетероструктур AlGaAs/GaAs з бар'єром Шотткі. Вияв-лено специфічні властивості світлодіодних GaN(Eu3+)/InGaN гетероструктур. Registration Date 2012-10-29 popup.nrat_date 2020-04-04 Close