Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0512U000819, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 29-10-2012 Статус Запланована Назва роботи Електрофізичні властивості напівпровідникових гетероструктур з шарами квантових точок та квантових ям Здобувач Ільченко Володимир Васильович, Керівник Третяк Олег Васильович Опонент Євтух Анатолій Антонович Опонент Жарких Юрій Серафімович Опонент Лепіх Ярослав Ілліч Опис Показано, що за допомогою методів спектроскопії повної провідності (СПП) та релаксаційної спектроскопії глибоких рівнів (РСГР) можна проводити ефективну діагностику структур з квантовими точками (КТ). Вперше експери-ментально спостерігався ефект негативної диференціальної ємності (НДЄ) при кімнатних температурах, передбачений теоретичними розрахунками. Запропоно-вано новий метод визначення ряду параметрів КТ. Вивчено вплив попередньої обробки поверхні Si атомами B(бора) на формування Ge КТ в Si. Досліджено особливості ефекту запам'ятовування в структурах з нанокластерами Si в SiO2. Показано, що накопичення заряду в шарах InAs КТ, розміщених поблизу 2D каналу на гетерограниці GaAs/AlGaAs, веде до виникнення ефекту НДЄ на ВФХ між затвором та витоком FET структур. Досліджено вплив перезарядки InAs КТ на перехідні характеристики цих структур. Встановлено існування характерної для тунельно-резонансного транспорту нелінійності прямої гілки ВАХ для двобар'єрних гетероструктур AlGaAs/GaAs з бар'єром Шотткі. Вияв-лено специфічні властивості світлодіодних GaN(Eu3+)/InGaN гетероструктур. Дата реєстрації 2012-10-29 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити