Search academic texts

Information × Registration Number 0514U000425, Doctoral dissertation Status д.ф.-м.н. Date 24-06-2014 popup.evolution o Title Influence of nuclear irradiation and thermal fields on the kinetics of electron processes and defect formation in Si and Ge Author Gaidar Galyna Petrivna, popup.opponent Кисловський Євген Миколайович popup.opponent Крупа Микола Миколайович popup.opponent Стебленко Людмила Петрівна Description Дисертація присвячена вивченню закономірностей впливу ядерного опромінення та теплових полів на кінетичні ефекти і процеси дефектоутворення в кристалах Si і Ge. На основі одержаних експериментальних даних і результатів розрахунків процесів відпалу точкових дефектів в опромінених кристалах досліджено різні механізми взаємодії радіаційних дефектів між собою, з легуючими і фоновими домішками та запропоновано відповідні реакції, які пояснюють процеси трансформації дефектів; встановлено методи підвищення радіаційної стійкості кремнію при опроміненні швидкими нейтронами реактора; запропоновано для n-Ge метод визначення важко вимірюваного в дослідах тензоопору розтягу за експериментальними даними тензоопору стиску, що вимірюється досить просто і надійно; виявлено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс у кристалах n-Si в залежності від способу легування домішкою фосфору та різних термообробок; пояснено більш низькі значення параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс в n-Si у порівнянні з n-Ge; встановлено особливості концентраційних залежностей параметрів анізотропії рухливості та анізотропії термоерс в кристалах n-Si та n-Ge; запропоновано метод визначення ступеня компенсації для домішок мілкого залягання у кристалах n-Si з невиродженим електронним газом та розраховано номограми, які забезпечують зручність практичного використання цього методу. Registration Date 2014-06-24 popup.nrat_date 2020-04-04 Close