Пошук академічних текстів

Інформація × Реєстраційний номер 0514U000425, Докторська дисертація На здобуття д.ф.-м.н. Дата захисту 24-06-2014 Статус Запланована Назва роботи Вплив ядерного опромінення та теплових полів на кінетику електронних процесів і дефектоутворення в Si і Ge Здобувач Гайдар Галина Петрівна, Опонент Кисловський Євген Миколайович Опонент Крупа Микола Миколайович Опонент Стебленко Людмила Петрівна Опис Дисертація присвячена вивченню закономірностей впливу ядерного опромінення та теплових полів на кінетичні ефекти і процеси дефектоутворення в кристалах Si і Ge. На основі одержаних експериментальних даних і результатів розрахунків процесів відпалу точкових дефектів в опромінених кристалах досліджено різні механізми взаємодії радіаційних дефектів між собою, з легуючими і фоновими домішками та запропоновано відповідні реакції, які пояснюють процеси трансформації дефектів; встановлено методи підвищення радіаційної стійкості кремнію при опроміненні швидкими нейтронами реактора; запропоновано для n-Ge метод визначення важко вимірюваного в дослідах тензоопору розтягу за експериментальними даними тензоопору стиску, що вимірюється досить просто і надійно; виявлено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс у кристалах n-Si в залежності від способу легування домішкою фосфору та різних термообробок; пояснено більш низькі значення параметрів анізотропії рухливості і анізотропії термоерс в n-Si у порівнянні з n-Ge; встановлено особливості концентраційних залежностей параметрів анізотропії рухливості та анізотропії термоерс в кристалах n-Si та n-Ge; запропоновано метод визначення ступеня компенсації для домішок мілкого залягання у кристалах n-Si з невиродженим електронним газом та розраховано номограми, які забезпечують зручність практичного використання цього методу. Дата реєстрації 2014-06-24 Додано в НРАТ 2020-04-04 Закрити