1 documents found
Information × Registration Number 0516U000382, Doctoral dissertation Status д.т.н. Date 28-04-2016 popup.evolution o Title Development of technology for production of gallium arsenide substrates for microelectronic products Author Prytchyn Serhii Emilovych, popup.head Oksanich Anatoliy Petrovich popup.opponent Ковтун Геннадий Прокопович popup.opponent Конакова Раїса Василівна popup.opponent Єрохов Валерий Юрьевич popup.opponent Филипенко Олександр Іванович Description Дисертація присвячена вирішенню актуальної науково-практичної проблеми - підвищенню якості підкладок GaAs шляхом розробки нової технології виготовлення підкладок, удосконалення математичних моделей, удосконалення методик, методів і пристроїв неруйнівного контролю якості підкладок у промислових умовах. За результатами математичного моделювання уточнено дані про значення механічних властивостей підкладок GaAs у довільних кристалографічних напрямках, визначено вплив величини залишкових напружень на константи пружності с11, с12, с44. Визначені умови, за яких забезпечується механічна стійкість підкладки GaAs при впливі на неї залишкових напруг. У роботі розроблено низку методик, пристроїв та удосконалено методи, зокрема: - методика, пристрій "Полярон - 4" та удосконалено метод неруйнівного контролю залишкових напружень у підкладках GaАs; - методика, пристрій "ТВ-Діслок 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю густини дислокацій у підкладках GaАs; - методика, пристрій "АКІДП - 1" та удосконалено метод неруйнівного контролю відхилення від площинності підкладок GaАs. Розроблено пристрій контролю діаметра зливка в процесі його росту, який забезпечує точність контролю не менш ± 1.5 мм. Це дозволило за рахунок поліпшення роботи системи управління вирощуванням зменшити рівень залишкових напружень до значення менш ніж 40 МПа та густини дислокації менш ніж 1,3 х 105 см-2. Запропонована технологія виготовлення підкладок GaАs забезпечила підвищення якості підкладок GaАs, зокрема, зменшення рівня залишкових напружень на 10 %, зменшення щільності дислокацій на 12 %, зменшення відхилення від площинності підкладок не менш ніж на 20 % у порівнянні з існуючою технологією, що дозволяє збільшити відсоток виходу придатних приладів на 5-7 %. Registration Date 2016-04-28 popup.nrat_date 2020-04-03 Close
Doctoral dissertation
1
Prytchyn Serhii Emilovych. Development of technology for production of gallium arsenide substrates for microelectronic products : д.т.н. : spec.. 05.27.06 - Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки : presented. 2016-04-28; popup.evolution: .; Kremenchuk Mykhaylo Ostrogradskiy State University. – , 0516U000382.
1 documents found

Updated: 2026-03-26